专利摘要显现，本请求公开了一种电容器结构及电容器结构的制备办法。该电容器结构包含：基底；第1至第m个导电层，沿着远离所述基底的方向堆叠设置，相邻的两个所述导电层之间设有介质层；m为大于或等于3的整数；其间，关于第n导电层和第(n+1)导电层，n≥1，(n+1)≤m，所述第n导电层设有刻蚀侧壁，所述第(n+1)导电层掩盖所述第n导电层的所述刻蚀侧壁；所述刻蚀侧壁包含斜坡，和/或，所述刻蚀侧壁与所述第n导电层的上外表滑润过渡衔接。

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