专利摘要显现，本请求供给一种硅电容器及其制备办法，归于半导体范畴。本请求供给的硅电容器包含：硅晶圆，包含相对设置的上外表和下外表；硅晶圆的上外表的中心区域设有多个沟槽，沟槽的开口与硅晶圆的上外表齐平；在硅晶圆的上外表无沟槽区域和沟槽内设有介电层薄膜；在介电层薄膜上外表、与中心区域对应方位处设有硅电容的上电极；在介电层薄膜上外表、与硅电容的上电极间隔榜首预设间隔处，设有MIM电容的上电极，硅电容和MIM电容的上外表齐平；金属线，金属线衔接硅电容和MIM电容的上外表；在硅晶圆的下外表和金属线的上外表别离设有榜首电极和第二电极。本请求供给的硅电容器及其制备办法，可在扩展电容器的带宽的一起下降生产成本。

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